メモリセル構造は DRAM のキャパシタを磁気抵抗素子に置き換えた形。磁気抵抗素子は、強磁性体の固定層と可動層の間に非磁性体材料が存在し、可動層のスピンの方向によって抵抗が変化する。抵抗変化をデータの 0 と 1 に対応させ読み出しを行う。磁気的にデータ保存し、不揮発性で通電状態でもデータの保存が可能。

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